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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Diode FR3J

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1 - 9 0.30€ 0.36€
10 - 24 0.29€ 0.35€
25 - 49 0.27€ 0.33€
50 - 99 0.26€ 0.31€
100 - 249 0.25€ 0.30€
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Diode FR3J. Diode. Cj: 60pF. Trr Diode (Min.): 500 sn. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB ( SMC ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 09:25.

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Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO214AB. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms)
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Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO214AB. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms)
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3.35€ TTC
(2.77€ HT)
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