Diodes standard et de redressement

Diode, 8A, 100A, TO-220FP, TO-220FPAC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diodes de redressement ultra-rapides (min 17ns, max 30ns). Marquage sur le boîtier: STTH802. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V

Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V

Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 30V, 0.2A. VRRM: 30V. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1V / 0.2A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 500nA / 25V. Temps de récupération inverse (max): 5ns. Série: BAT

Diode, 40V, 0.35A. VRRM: 40V. Courant redressé moyen par diode: 0.35A. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.75V / 0.2A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 25uA / 40V. Temps de récupération inverse (max): 10ns. Série: BAT

Diode, 100V, Sb, 0.15A. VRRM: 100V. Boîtier: Sb. Courant redressé moyen par diode: 0.15A. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.45V / 0.01A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 5uA / 75V. Temps de récupération inverse (max): 100V. Série: BAT

Diode, SMD 0603, 75V, 0.1A. Boîtier: SMD 0603. VRRM: 75V. Courant redressé moyen par diode: 0.1A. Type de diode: Switching. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.0V / 0.01A. Type de montage: SMD. Temps de récupération inverse (max): 4ns. Série: TS4148

Diode, SMD 1206, 75V, 0.15A. Boîtier: SMD 1206. VRRM: 75V. Courant redressé moyen par diode: 0.15A. Type de diode: Switching. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.0V / 0.1A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 25nA / 20V. Temps de récupération inverse (max): 4ns. Série: TS4148

Diode, soudure sur circuit imprimé (CMS), 063, 0.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: 063. If [A]: 0.1A. RoHS: oui. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Ifsm [A]: 2A. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 100mA. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, SMD 0805, 150mA, 500mA, 100V. Boîtier: SMD 0805. IF(AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: oui. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes haute vitesse. Autre nom: IN4148. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 45V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. Marquage sur le boîtier: W3U45. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.47V. Tension de seuil Vf (min): 0.33V

Diode, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. Marquage sur le boîtier: W3U60. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.58V. Tension de seuil Vf (min): 0.39V

Diode, 0.6A, 600V. IF(AV): 0.6A. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 100V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 400V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra fast switching. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 600V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1000V, silicium, 1A. VRRM: 1000V. Boîtier: silicium. Courant redressé moyen par diode: 1A. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.7V / 1A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 10uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 75ns. Information: 1.7V @ 1A. Série: UF40. MSL: 5uA..50uA

Diode, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 9.2x5.3mm ), 500V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V

Diode, 2A, 80A, DO-15, DO-15 ( 3.5x7.5mm ), 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 35pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80A/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tr: 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V

Diode, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Equivalences: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V