Diodes standard et de redressement

Diode, 2x100A, 100A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP, 300V. IF(AV): 2x100A. IFSM: 100A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP. VRRM: 300V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 55 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de redressement haute tension ultrarapide double. IRM (max): 2mA. IRM (min): 200uA. Nombre de connexions: 4. RoHS: oui. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V

Diode, 10A, 110A, TO-220FP, TO-220F, 300V. IF(AV): 10A. IFSM: 110A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 300V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IRM (max): 300uA. IRM (min): 30uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V

Diode, 10A, 110A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 300V. IF(AV): 10A. IFSM: 110A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IRM (max): 300uA. IRM (min): 30uA. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V

Diode, 10A, 110A, TO-220, TO-220AB, 300V. IF(AV): 10A. IFSM: 110A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 300V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IRM (max): 300uA. IRM (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V

Diode, 2A, 40A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: AXIAL TURBO 2 DIODE. Date de production: 201506. IRM (max): 12uA. IRM (min): 2uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--40App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, DO-247, DO-247. Boîtier: DO-247. Boîtier (selon fiche technique): DO-247. Remarque: isolation 2500V. Remarque: diode haute tension, à récupération ultra-rapide. Remarque: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms

Diode, 15A, 60.4k Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 300V. IF(AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. VRRM: 300V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 15A, 60.4k Ohms, TO-247, TO-247, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 30A, 300A, TO-247, TO-247, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.85V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 60A, 330A, TO-247, TO-247, 200V. IF(AV): 60A. IFSM: 330A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 22 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V

Diode, 8A, 100A, TO-220FP, TO-220FPAC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diodes de redressement ultra-rapides (min 17ns, max 30ns). Marquage sur le boîtier: STTH802. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V

Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V

Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 0.15A, 12.7k Ohms, SOD-80, 100V. IF(AV): 0.15A. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: IFSM 0.75App/10ms. Nombre de connexions: 2. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, soudure sur circuit imprimé (CMS), 063, 0.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: 063. If [A]: 0.1A. RoHS: oui. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Ifsm [A]: 2A. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 100mA. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, SMD 0805, 150mA, 500mA, 100V. Boîtier: SMD 0805. IF(AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: oui. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes haute vitesse. Autre nom: IN4148. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 45V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. Marquage sur le boîtier: W3U45. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.47V. Tension de seuil Vf (min): 0.33V

Diode, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. Marquage sur le boîtier: W3U60. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.58V. Tension de seuil Vf (min): 0.39V

Diode, 0.6A, 600V. IF(AV): 0.6A. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 100V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 400V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra fast switching. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé