Diodes standard et de redressement

Diode. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Fonction: diode de puissance. IF(AV): 20A. IFSM: 275A. Filetage: M5. Poids: 6g. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-4. Boîtier (selon fiche technique): DO-4P. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: 275App/10ms

Diode. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Fonction: diode de puissance. IF(AV): 40A. IFSM: 600A. Filetage: M6. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-5. Boîtier (selon fiche technique): DO-5P. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Spec info: 600App/10ms

Diode. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Fonction: diode de puissance. IF(AV): 40A. IFSM: 600A. Filetage: M6. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-5. Boîtier (selon fiche technique): DO-5P. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Spec info: 600App/10ms

Diode. Boîtier: DO-205. Boîtier (selon fiche technique): DO-205AC. Remarque: DO-8P inversé, filetage M12. Remarque: boîtier fileté - Anode (courant élevé). Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery Rectifiers'. IF(AV): 15.9A. IFSM: 300A. Température: +125°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifiers. IF(AV): 20A. IFSM: 255A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220L. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A)

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 25A. IFSM: 350A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode (1), anode (2), non connecté (3). Remarque: boîtier TO220 isolé. Quantité par boîtier: 1. Fonction: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Spec info: 350Ap

Diode. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.2A. Marquage sur le boîtier: UMD3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-323. Boîtier (selon fiche technique): SOT-323. VRRM: 20V. Remarque: Ultra High Speed Switching. Remarque: sérigraphie/code CMS UMD3

Diode. Cj: 1.8pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IF(AV): 20mA. IFSM: 500mA. IRM (min): 5uA. Dimensions: 3x12mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): 3x12mm. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 40V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. VRRM: 12000V

Diode. Cj: 1.8pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IF(AV): 20mA. IFSM: 500mA. IRM (min): 5uA. Dimensions: 3x12mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): 3x12mm. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 40V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. VRRM: 16000V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 1500V. Remarque: Ultrahigh-Definition Display Applications. Remarque: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type

Diode. Cj: 90pF. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. IF(AV): 20A. IFSM: 180A. Marquage sur le boîtier: 20LC30. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 300V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle)

Diode. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: DIODE-RECTIFIER. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: DGP30L. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 1500V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 100Ap

Diode. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Remarque: DAMPER +MODULATION. Remarque: double diode au silicium

Diode. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): T0-220AB. VRRM: 1500V. Remarque: DAMPER +MODULATION. Remarque: double diode au silicium

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IF(AV): 11A. IFSM: 75A. Dissipation de puissance maxi: 78W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.6V. Tension de seuil Vf (min): 2.2A. VRRM: 1200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IF(AV): 100A. IFSM: 600A. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1.5mA. Dissipation de puissance maxi: 357W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.55V. VRRM: 1200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2x96A. IFSM: 1200A. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.17V. VRRM: 600V. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Fonction: double diode à récupération rapide. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2x91A. IFSM: 900A. IRM (max): 15mA. IRM (min): 1.5mA. Dissipation de puissance maxi: 250W. Délai de livraison: KB. Montage/installation: à visser. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.87V. Tension de seuil Vf (min): 1.61V. VRRM: 1200V. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Remarque: diode épitaxiale, courant fort. Remarque: 900App/10ms, 45°C. Fonction: double diode à récupération rapide. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2x123A. IFSM: 1200A. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Dissipation de puissance maxi: 357W. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.89V. VRRM: 200V. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Fonction: double diode à récupération rapide. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IF(AV): 37A. IFSM: 375A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IF(AV): 37A. IFSM: 375A. Dissipation de puissance maxi: 138W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.4V. Tension de seuil Vf (min): 2V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IF(AV): 28A. IFSM: 200A. Dissipation de puissance maxi: 138W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.55V. Tension de seuil Vf (min): 2.2V. VRRM: 1200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. Dissipation de puissance maxi: 189W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IF(AV): 52A. IFSM: 500A. Dissipation de puissance maxi: 189W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.55V. Tension de seuil Vf (min): 2V. VRRM: 1200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C