Diodes standard et de redressement

Diode, 35A, 400A, 600V. IF(AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diamètre: 12.75mm. Cj: 250pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+215°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 60A, 500A, 600V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diamètre: 12.75mm. Cj: 430pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 60A, 500A, 600V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diamètre: 12.75mm. Cj: 430pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 1.5A, 30A, DO-214, SMA DO214AC, 90V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 1mA. IRM (min): 100uA. Marquage sur le boîtier: BYS109. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Poids: 0.064g. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V

Diode, 3A, 60A, DO-201, DO-201AD ( 9.5x5.3mm ), 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 16 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 1000V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 65 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V

Diode, 5A, 500V. IF(AV): 5A. VRRM: 500V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Vf<1.05V. Remarque: S-L ->I<-. Remarque: 50A/10ms. Tr: 50 ns. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V

Diode, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V. IF(AV): 30A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: partie métallique reliée à la cathode. IRM (max): 5mA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V

Diode, 1.4A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 1.4A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de redressement et de commutation rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tr: 200 ns. Tension de seuil Vf (max): 1.3V

Diode, 1.25A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 1.25A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Redresseurs rapides Mesa au silicium. Remarque: 30App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, 80A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de redressement et de commutation très rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V

Diode, 3A, 80A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de redressement et de commutation très rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V

Diode, 1A, 20A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 20A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 10mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--20A t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 800V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

ROHS: Oui. Boîtier: SOD57. Type de diode: diode de redressement. Montage/installation: THT. Tension inverse maxi: 200V. Tension de seuil: 1.07V. Courant: 2A. Temps de réaction: 25ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type d'élément semi-conducteur: diode. Propriétés des éléments semi-conducteurs: 'glass passivated'. Structure semi-conductrice: diode. Courant d'impulsion max.: 50A. Tension de conduction (tension de seuil): 1.07V. Conditionnement: Ammo Pack

Diode, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.07V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V

Diode, 3.5A, 90A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 200V. IF(AV): 3.5A. IFSM: 90A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Avalanche Sinterglass Diode Fast'. Date de production: 201412. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: BYV28-200. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.89V

Diode, 3.1A, 90A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 600V. IF(AV): 3.1A. IFSM: 90A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.93V

Diode, 9A, 100A, TO-220, TO-220AC ( SOD59 ), 500V. IF(AV): 9A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. IRM (max): 50uA. IRM (min): 2uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V

Diode, 10A, 125A, TO-220, SOT78 (TO-220AB), 200V. IF(AV): 10A. IFSM: 125A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. RoHS: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. Remarque: cathode commune. Marquage sur le boîtier: BYV32E-200. Equivalences: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.72V

Diode, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AB, SOT78, 500V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. Marquage sur le boîtier: BYV34-500. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V

Diode, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass passivated, 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseurs rapides Mesa au silicium. Date de production: 2013/40. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 15A, 75A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. IF(AV): 15A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes de redressement, ultrarapides, robustes. Remarque: cathode commune. IRM (max): 1mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V