Diodes standard et de redressement

Diode, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 400V. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 10uA. IRM (min): uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50°C...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms

Diode, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 800V. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 10uA. IRM (min): 220A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Diode, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon Rectifiers. IRM (max): 20uA. IRM (min): 20uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS

Diode, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 400V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 5uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Diode, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 600V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 20uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS

Diode, 1.3A, 20A, SOD-81, SOD-81, 200V. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. VRRM: 200V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Soft-Rocovery Rectifier Diode'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms)

Diode, 1.3A, 20A, SOD-81, SOD-81, 600V. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. VRRM: 600V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Soft-Rocovery Rectifier Diode'. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 20Ap f=10ms

Diode, 1.3A, 20A, SOD-81, SOD-81, 1000V. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. VRRM: 1000V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Diode, 2.3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 400V. IF(AV): 2.3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: S,contr,av. Remarque: 45App/10ms

Diode, 35A, 400A, 600V. IF(AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diamètre: 12.75mm. Cj: 250pF. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: oui. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+215°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Quantité par boîtier: 1. Nombre de connexions: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Diode, 35A, 400A, 600V. IF(AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diamètre: 12.75mm. Cj: 250pF. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: oui. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+215°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Quantité par boîtier: 1. Nombre de connexions: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Diode, 60A, 500A, 600V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diamètre: 12.75mm. Cj: 430pF. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: oui. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Quantité par boîtier: 1. Nombre de connexions: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Diode, 60A, 500A, 600V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diamètre: 12.75mm. Cj: 430pF. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: oui. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Quantité par boîtier: 1. Nombre de connexions: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Diode, 1.5A, 30A, DO-214, SMA DO214AC, 90V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 1mA. IRM (min): 100uA. Marquage sur le boîtier: BYS109. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Poids: 0.064g. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Diode, 3A, 60A, DO-201, DO-201AD ( 9.5x5.3mm ), 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 16 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 1000V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1000V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 65 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms)

Diode, 5A, 500V. IF(AV): 5A. VRRM: 500V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Tr: 50 ns. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. Remarque: Vf<1.05V. Remarque: S-L ->I<-. Remarque: 50A/10ms

Diode, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V. IF(AV): 30A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 5mA. IRM (min): 100uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Nombre de connexions: 2. Remarque: partie métallique reliée à la cathode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=10ms

Diode, 1.4A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 1.4A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de redressement et de commutation rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tr: 200 ns. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Nombre de connexions: 2

Diode, 1.25A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 1.25A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: Redresseurs rapides Mesa au silicium. Remarque: 30App/10ms

Diode, 3A, 80A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de redressement et de commutation très rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Diode, 3A, 80A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de redressement et de commutation très rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Diode, 1A, 20A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 20A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 10mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Spec info: IFSM--20A t=10ms

Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 800V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms