Diodes standard et de redressement

Diode, 3A, 50A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ), 1500V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). VRRM: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2us. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 4.2x4.3mm. IRM (max): 140uA. IRM (min): 2uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V

Diode, 1300V, 3A, 100A, DO-27, DO-27 ( 9x5.2mm ). VRRM: 1300V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9x5.2mm ). RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 2A, 70A, DO-15, DO-15 ( 7.6x3.6mm ), 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifms 70Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 2A, 70A, DO-15, DO-15 ( 7.6x3.6mm ), 800V. IF(AV): 2A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 800V. RoHS: oui. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifms 70Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 2A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1500V. IF(AV): 2A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 140uA. IRM (min): 3uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V

Diode, 4A, SOD-57, 1200V. IF(AV): 4A. Boîtier (selon fiche technique): SOD-57. VRRM: 1200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 1000 ns. Remarque: 30App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 12A, 1500V. IF(AV): 12A. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 48...82kHz. Remarque: Monitor CRT-GI. Remarque: TO-220, SOD113 (boîtier en plastique)

Diode, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 10uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 400V. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 10uA. IRM (min): uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50°C...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 600V, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 5A, 200A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 800V. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 10uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon Rectifiers. IRM (max): 20uA. IRM (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 400V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 5uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 600V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 20uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 1.3A, 20A, SOD-81, SOD-81, 200V. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Soft-Rocovery Rectifier Diode'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V

Diode, 1.3A, 20A, SOD-81, SOD-81, 600V. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Soft-Rocovery Rectifier Diode'. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 20Ap f=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 1.3A, 20A, SOD-81, SOD-81, 1000V. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 2.3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 400V. IF(AV): 2.3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: S,contr,av. Remarque: 45App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 35A, 400A, 600V. IF(AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diamètre: 12.75mm. Cj: 250pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+215°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 35A, 400A, 600V. IF(AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diamètre: 12.75mm. Cj: 250pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+215°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 60A, 500A, 600V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diamètre: 12.75mm. Cj: 430pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 60A, 500A, 600V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diamètre: 12.75mm. Cj: 430pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 1.5A, 30A, DO-214, SMA DO214AC, 90V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 1mA. IRM (min): 100uA. Marquage sur le boîtier: BYS109. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Poids: 0.064g. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V

Diode, 3A, 60A, DO-201, DO-201AD ( 9.5x5.3mm ), 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 16 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 1000V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 65 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V