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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode DSEI2X101-06A

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Diode DSEI2X101-06A. Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2x96A. IFSM: 1200A. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.17V. VRRM: 600V. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Fonction: double diode à récupération rapide. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2x91A. IFSM: 900A. IRM (max): 15mA. IRM (min): 1.5mA. Dissipation de puissance maxi: 250W. Délai de livraison: KB. Montage/installation: à visser. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.87V. Tension de seuil Vf (min): 1.61V. VRRM: 1200V. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Remarque: diode épitaxiale, courant fort. Remarque: 900App/10ms, 45°C. Fonction: double diode à récupération rapide. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C
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