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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205Z

Transistor canal N, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205Z
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10 - 24 2.14€ 2.59€
25 - 49 2.09€ 2.53€
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100 - 249 1.86€ 2.25€
250 - 304 1.80€ 2.18€
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Transistor canal N, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205Z. Transistor canal N, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 4.9m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3450pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Protection G-S: non. Id(imp): 440A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 21:25.

Documentation technique

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