Transistors

Transistor. C (in): 1000pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 850pF. C (out): 44pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 11NM60ND. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 612 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P11NM80. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 46 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5200pF. C (out): 785pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 152 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 440A. Id (T=100°C): 77A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P120NF10. Dissipation de puissance maxi: 312W. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 132 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1000pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P12NM50. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 550V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1000pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P12NM50FP. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 550V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 44A. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 460pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 56A. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P14NF12. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 120V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2000pF. C (out): 238pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P14NK50ZFP. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Fonction: protection par diode Zéner. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 315pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P16NF06. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.08 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 7 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Capacité dv/dt exceptionnelle, faible charge de grille. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 345pF. C (out): 72pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.08 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Low Gate Charge. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5100pF. C (out): 1270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 480A. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 200N4F3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 3m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation, applications automobiles. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGHdv/dtCAP. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 20A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: II Power Mos. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Low Gate Charge

Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FD. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 192W. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Low Gate Capacitance. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FP. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 870pF. C (out): 125pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 100us. Tension de seuil de la diode: 1.5V. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 104A. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P24NF10. Dissipation de puissance maxi: 85W. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: faible charge d'entrée. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 115pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 26NM60N. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 0.135 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Spec info: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1180pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 110us. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 115W. Résistance passante Rds On: 0.038 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: faible charge d'entrée. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 690pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P36NF06. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 27 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: trr 65ns, dv/dt performant

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 60V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: trr 65ns, dv/dt performant

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P36NF06L. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 660pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): 60.4k Ohms

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 2.9A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V

Transistor. C (in): 400pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P3NB60. Dissipation de puissance maxi: 80W. Résistance passante Rds On: 3.3 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 11 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 440pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 10.4A. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 90W. Résistance passante Rds On: 4.6 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 3.5A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PowerMESH III. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 900V