Transistors

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Résistance BE: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP142T. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -10A. Puissance: 125W. Boîtier: TO-3P

Transistor. Boîtier: TO-247. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP2955. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Courant de collecteur: 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Vebo: 7V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -15A. Puissance: 90W. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Remarque: transistor complémentaire (paire) TIP3055. Spec info: Faible tension de saturation collecteur-émetteur

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP30. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-247. Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 7V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 90W. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) TIP2955. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Faible tension de saturation collecteur-émetteur

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 24. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 5A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP32C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 160pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: PNP TRANS 100V 3. Date de production: 201448. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP31C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP34C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-247. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 15A. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP33C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-247. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Date de production: 1450. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 125W. Fréquence maxi: 3MHz. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP36C

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP35CG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): 45pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP33C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 50A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP35C

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP36CG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. C (out): 80pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP42C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 6A. Puissance: 65W. Fréquence maxi: 3MHz. Boîtier: TO-220

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP41C. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -6A. Puissance: 65W

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -6A. Puissance: 65W. Fréquence maxi: 3MHz. Boîtier: TO-220

Transistor. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. C (in): 2600pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1700 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 80A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Marquage sur le boîtier: K20J50D. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Type POWER MOS à effet de champ (MOSVII). Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 800pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Marquage sur le boîtier: K6A60D. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1050pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 10uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 470pF. C (out): 13pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 230 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: pour régulateurs à découpage. Id(imp): 28A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 10uA. Marquage sur le boîtier: TK7P60W. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1350pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 30Ap. Idss (maxi): 10uA. Marquage sur le boîtier: K8A65D. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10U1B. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id (T=25°C): 0.3A. Idss (maxi): 0.3A. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 9.31k Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 240V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Fonction: SAMSUNG 0505-001417. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SMD SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2