Transistors

Transistor. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W10NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 156W. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W10NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: W10NK80Z. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 3500pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 560 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: capacité dv/dt extrêmement élevée, applications de commutation. Id(imp): 33.2A. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W11NK100Z. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 98 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 1000V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: W11NK100Z. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 98 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 3000pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 584 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. Id (T=100°C): 5.8A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W11NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.82 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 76 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMesh PpwerMOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2620pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 635 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Capacité ESD améliorée. Id(imp): 42A. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 10.5A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W12NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance SuperMESH™ protégé par diode zéner. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 3500pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 964ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Capacité ESD améliorée. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W12NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 88 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance SuperMESH™ protégé par diode zéner. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N. Boîtier: TO-247. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 50mA. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W13NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 13A. Puissance: 150W. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Nombre de connexions: 3. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Tension drain - source (Vds): 600V. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2000pF. C (out): 238pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 50mA. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W14NK50Z. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection G-S: oui

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 15A. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Puissance: 350W. Boîtier: TO-247. Tension drain - source (Vds): 900V

Transistor. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 10.71A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 100nA. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: 18NM80. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: W20NK50Z. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 30

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: W20NM50FD. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1380pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 214W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1450pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W20NM60. Dissipation de puissance maxi: 214W. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 115pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 26NM60N. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 0.135 Ohms. RoHS: oui. Poids: 4.51g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1440pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 28N65M2. Dissipation de puissance maxi: 170W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2400pF. C (out): 650pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PowerMESH™ MOSFET. Id(imp): 136A. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W34NB20. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 180W. Résistance passante Rds On: 0.62 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 17 ns. Td(on): 30 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Alimentations à découpage SMPS, convertisseurs DC-AC. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 35A. Dissipation de puissance maxi: 255W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: MDmesh II. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. Fonction: Idm--140Ap(pulsed). Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 4300pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 43NM60ND. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 255W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh II. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Faible résistance d'entrée de grille. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3800pF. C (out): 1250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 508 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: W45NM60. Dissipation de puissance maxi: 417W. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1250pF. C (out): 128pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 700 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentations à découpage (SMPS). Id(imp): 22.4A. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 13 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1154pF. C (out): 106pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 605 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 14A. Id (T=100°C): 2.2A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W5NK100Z. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 2.7 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 51.5 ns. Td(on): 22.5 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 1000V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 23.2A. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W7NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W9NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui