Transistors

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 550 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 2A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 175 MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 0.3A. Température: +135°C. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Epytaxial Planar Type. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 17V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Amplificateurs RF sur bande VHF

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 700mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: E-33. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA940. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 27 MHz. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 6W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 900mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA966. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA968

Transistor. C (out): 3pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 350. Courant de collecteur: 0.1A. Marquage sur le boîtier: C2240BL. Température: +125°C. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970BL. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 3pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.1A. Marquage sur le boîtier: C224GR. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970GR. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 35. Courant de collecteur: 1.5A. Ic(puls): 3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: VID-L. Courant de collecteur: 0.1A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. C (out): 30pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 1.5A. Ic(puls): 3A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Amplificateur de puissance AF à commutation haute tension. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1011. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor. C (out): 20pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Courant de collecteur: 1A. Marquage sur le boîtier: C2383 Y. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1013. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Courant de collecteur: 0.15A. Marquage sur le boîtier: BQ. Température: +155°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 400mV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS BQ. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1037. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: P22/U. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W