Transistors

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8A/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/19V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D6/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: TV-NF/E. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1249. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.7us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC3157. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1265

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 550 MHz. Courant de collecteur: 0.02A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 660 MHz. Fonction: TV-ZF. Courant de collecteur: 0.05A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.15A. Marquage sur le boîtier: C3198. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance B: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 150mA. Température: +125°C. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: remplacement KTA1267. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Hi-Beta, lo-sat.. Gain hFE mini: 500. Courant de collecteur: 2A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Remarque: 9mm. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (out): 250pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1294. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Courant de collecteur: 17A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1295

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Courant de collecteur: 17A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: avec ce boîtier, uniquement jusqu'à épuisement des stocks !

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: NF-E HI-FI. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1301

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: NF-E HI-FI. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1302. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Courant de collecteur: 14A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1303

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Boîtier: TO-220FP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1306

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 8A. Marquage sur le boîtier: C3303. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 8A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 8V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: NF/SL. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Applications de commutation haute tension. Courant de collecteur: 0.7A. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Remarque: hFE 140...280. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1319

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Quantité par boîtier: 1