Transistors

Transistor. Résistance B: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-18. C (out): 4.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V

Transistor. C (out): 4.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 80pF. C (out): 25pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: pour applications de moyenne puissance et de commutation. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO39. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC161-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance B: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 180pF. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: 1A. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): +175°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(max): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC141. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 4pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 460. Gain hFE mini: 180. Courant de collecteur: 0.2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 240. Courant de collecteur: 0.1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 240. Courant de collecteur: 0.1A. Remarque: ( E,C,B ). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 6V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Courant de collecteur: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Courant de collecteur: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V

Transistor. Boîtier: TO-92. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -50V. C (in): -0.1A. C (out): 1W. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC212BG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 280 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 350 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: BC237/25

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC237BG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V

Transistor. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 120V. Courant de collecteur: 0.5A. Puissance: 0.85W. Fréquence maxi: 120MHz. Boîtier: TO-39

Transistor. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Puissance: 0.85W. Fréquence maxi: 120MHz. Boîtier: TO-39

Transistor. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -60V. C (in): -0.5A. C (out): 0.85W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.65 MHz. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 0.5A. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.85W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tension de saturation VCE(sat): 0.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.65 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 0.5A. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.85W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 7V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v

Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.8A. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: C32716. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 260 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP