Transistors

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: Transistor MOSFET. Rds (ON) très faible. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms

Transistor. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm

Transistor. C (in): 1980pF. C (out): 317pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 11.2 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12.7A. Idss (maxi): 20mA. Idss (min): 0.02mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: FET dans SMPS, commutation de charge. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3760pF. C (out): 682pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 18 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (maxi): 20mA. Idss (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. Résistance passante Rds On: 0.0039 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 34 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2154pF. C (out): 474pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 20mA. Idss (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Résistance passante Rds On: 0.0058 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 27.5us. Fonction: Transistor MOSFET. Rds (ON) très faible. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Résistance passante Rds On: 46m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) min.: 4.7V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 2

Transistor. C (in): 4360pF. C (out): 1050pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 39.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 0.01uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 51 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 920pF. C (out): 190pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 21.4 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 0.003uA. Marquage sur le boîtier: D405. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 24.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Spec info: transistor complémentaire (paire) AOD408. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1040pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D408. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 13.6m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17.4 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Spec info: transistor complémentaire (paire) AOD405. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2977pF. C (out): 241pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 0.003uA. Marquage sur le boîtier: D409. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 32m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 450pF. C (out): 61pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 27.6 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 20W. Résistance passante Rds On: 47m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16 ns. Td(on): 4.2 ns. Technologie: 'Latest Trench Power MOSFET technology'. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 951pF. C (out): 373pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Trr Diode (Min.): 10.2 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC en informatique. Id(imp): 96A. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 54A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 1W. Résistance passante Rds On: 6m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 18.5 ns. Td(on): 6.25 ns. Technologie: 'Latest Trench Power MOSFET technology'. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.8V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Spec info: RDS(on) très faible à 10VGS. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (out): 16pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 172ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 3.9A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 52W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 18 ns. Td(on): 17 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 273pF. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 962pF. C (out): 98pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 332ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 178W. Résistance passante Rds On: 0.71 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2850pF. C (out): 258pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 170A. Id (T=100°C): 51A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 83W. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3430pF. C (out): 1327pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 22 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. Id (T=100°C): 115A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 83W. Résistance passante Rds On: 1.9m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 33.8 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Latest Trench Power AlphaMOS technology'. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: DFN8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: 7401. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2060pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Marquage sur le boîtier: P605. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: AOY2610E. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 22 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03 GP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03 GP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 mS. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03GS. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31W. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 990pF. C (out): 220pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 35V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: commutation rapide, convertisseur DC/DC. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: 4501GM. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2)