Transistors

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: CEC. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 140 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF/S. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSSOP6. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: M1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: paire de transistors NPN et PNP

Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 145 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP51/16. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP54-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 145 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP52/16. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP55-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCP53-10. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 120 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +155°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: AH-10. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. C (out): 25pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP 5316. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP56-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: AH. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP54/16. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP51-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 25pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP 5516. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP52-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCP56-10. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 120 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +155°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BH-10. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP56/16. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP53-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BH-10. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BH. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCP69/25. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 140 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCP69. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 140 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: XGs. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 10k Ohms. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 500mA. Marquage sur le boîtier: XCs. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 1V. Spec info: sérigraphie/code CMS XCs. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance B: 4.7k Ohms. Résistance BE: 4.7k Ohms. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Transistor numérique au silicium PNP. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 500mA. Marquage sur le boîtier: XUs. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: XHs. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor NPN Darlington. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: EF. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C