Transistors

Transistor. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 5.6A. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 350pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 47 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. Résistance passante Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 350pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFZ24NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZ24NS. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 700pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 57 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 29A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 31 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFZ34NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 31 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1470pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 63us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 49A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 94W. Résistance passante Rds On: 0.0175 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFZ44NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1470pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1470pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 63 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 49A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 94W. Résistance passante Rds On: 17.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZ44NS. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1470pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 94W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1812pF. C (out): 393pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 115W. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 55A. Puissance: 115W. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V

Transistor. C (in): 1696pF. C (out): 407pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 107W. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1696pF. C (out): 407pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFZ46NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1696pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1970pF. C (out): 470pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 68 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. Id (T=100°C): 32A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 34 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: IRFZ48NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1970pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 64A. Puissance: 130W. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension drain - source (Vds): 55V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20FD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 43 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 240 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Courant de collecteur maxi (A): 64A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 54 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 180 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Td(off): 180 ns. Td(on): 54 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 ( AB ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.27V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Courant de collecteur maxi (A): 32A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20S. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 19A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 540 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Courant de collecteur maxi (A): 38A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20S. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 10A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 540 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Courant de collecteur maxi (A): 38A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20UD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 13A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 39 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 93 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Courant de collecteur maxi (A): 52A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20U. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 13A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 21 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 86 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Courant de collecteur maxi (A): 52A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C