Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC40W. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC50FD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 70A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 55 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 240 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Courant de collecteur maxi (A): 280A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC50F. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 70A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 31 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 240 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Courant de collecteur maxi (A): 280A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC50KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 52A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 63 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 150 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Courant de collecteur maxi (A): 104A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 3700pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 55A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 27A. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 46 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.93V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 25. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 6050pF. Type de canal: N. Fonction: 'Fast Speed ​​IGBT'. Courant de collecteur: 90A. Ic(puls): 360A. Ic(T=100°C): 60A. Dissipation de puissance maxi: 520W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 310 ns. Td(on): 42 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. C (out): 360pF. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PF50W. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 900V. Courant de collecteur Ic [A]: 51A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 29 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 29 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 900V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Courant de collecteur maxi (A): 204A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PH20KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 11A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Courant de collecteur maxi (A): 22A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PH40K. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 30A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Courant de collecteur maxi (A): 60A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Fonction: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Courant de collecteur: 41A. Ic(puls): 82A. Ic(T=100°C): 21A. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 24 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.43V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PH40UD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 46 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Courant de collecteur maxi (A): 82A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 45A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 36ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.77V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Trr Diode (Min.): 90 ns. Courant de collecteur: 45A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 87 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.77V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1220V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (out): 160pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Courant de collecteur: 45A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 24A. Marquage sur le boîtier: IRG4PH50U. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 35 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.56V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C (in): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 850pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 92 ns. Courant de collecteur: 31A. Ic(puls): 62A. Ic(T=100°C): 15A. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 184 ns. Td(on): 34 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 3025pF. C (out): 245pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Courant de collecteur: 90A. Ic(puls): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 145 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Nombre de connexions: 3. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2250pF. C (out): 110pF. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25. Courant de collecteur: 70A. Ic(puls): 250A. Ic(T=100°C): 40A. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 112 ns. Td(on): 36ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+140°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.29V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.57V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Nombre de connexions: 3. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L1004S. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 6590pF. C (out): 1710pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 63 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 640A. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 160A. Puissance: 200W. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 40V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 790A. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss (maxi): 200A. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 0.005 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. Fonction: Commutation rapide, commande de porte au niveau logique

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL1404ZPBF. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5080pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 5080pF. C (out): 970pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 790A. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (maxi): 200A. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 2.5M Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 40V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3290pF. C (out): 1270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 116A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 180W. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL2203NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C