Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'CTV-HA' (isolé). Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 600V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'CTV-HA' (isolé). Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 3.5A, 600V. Courant de collecteur: 3.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 700V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Gain hFE maxi: 15. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 17A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/SL. Remarque: hFE 100...200. Type de transistor: NPN. Spec info: 2SD1609-C

Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Ic(puls): 4A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1123S. Marquage sur le boîtier: DF. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS DF. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 2A, 60V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Remarque: hFE 200...400. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: NPN. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS DF, transistor complémentaire (paire) 2SB1123T. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Ic(puls): 6A. Marquage sur le boîtier: DG. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistors'. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS DG

Transistor NPN, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO PCP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: courant continu élevé, pilotes de relais, pilotes de lampe. Gain hFE maxi: 4000. Gain hFE mini: 3000. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: DI. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Vebo: 10V. Spec info: sérigraphie/code CMS DI, transistor complémentaire (paire) 2SB1126. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 2A, 30 v. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Remarque: hFE 3000...4000. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Type de transistor: NPN. Fonction: Courant continu élevé, pilotes de relais, contrôle de régulation de tension. Spec info: sérigraphie/code CMS DJ

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS DK, hFE 120...200

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 180. Id(imp): 8A. Marquage sur le boîtier: DK. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS DK

Transistor NPN, 3.5A, 800V. Courant de collecteur: 3.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 800V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: transistor bipolaire. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: DAQ. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial planar type'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS DAQ

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Id(imp): 12A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1135. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Id(imp): 15A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1136. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 40V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-E-L. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1.5A, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: NF/E (F). Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1186A