Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220, 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Ic(puls): 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 3. Ic(puls): 7A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 22W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 0.7A, 25V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Fonction: usage général. Remarque: hFE 120...240. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Spec info: MONITOR. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 120V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 8W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB631K. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-236, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 700mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 700mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 2A. Remarque: 9mm. Marquage sur le boîtier: D667. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB647. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, 100V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB682. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB688. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 0.7A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, 6A, 120V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF/SL. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, 60V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB764. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SD871. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W

Transistor NPN, 3A, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. C (out): 45pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 7A. Marquage sur le boîtier: D882. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB772. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V