Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 55pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 150V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 12A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 5000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1588

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1588

Transistor NPN, 6A, 110V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Remarque: >5000. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1625

Transistor NPN, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 6A. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 6A. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA Hi-r. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Remarque: Vce(sat)=5V

Transistor NPN, 80V, 3A, MT-3-A1. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: MT-3-A1. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 1.5W. Fréquence maxi: 50 MHz

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: TO-220. Gain hFE maxi: 12000. Gain hFE mini: 5000. Marquage sur le boîtier: D2589. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1659

Transistor NPN, 2A, TO-220, 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: 2A. Ic(puls): 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 3. Ic(puls): 7A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 22W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-1, 300mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-1. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 0.7A, 25V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Fonction: usage général. Remarque: hFE 120...240. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D18/C, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SD551. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W

Transistor NPN, 1A, TO-126, 120V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB631K

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-236, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 700mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 700mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 2A. Remarque: 9mm. Marquage sur le boîtier: D667. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB647