Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 40A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD250C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD250C

Transistor NPN, 6A, SOT-82, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: SOT-82. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Remarque: >750. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-126, 22V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 22V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, 45V, TO-126, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Boîtier: TO-126. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD438

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 45V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, SOT-32, 60V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-32. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD440

Transistor NPN, 80V, 4A, TO-126. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz

Transistor NPN, 4A, 80V, 4A, TO-126, TO-126F, TO-126F, 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Marquage du fabricant: BD441G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD649. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Dissipation maximale Ptot [W]: 62.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, 45V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD677. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD677A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD677AG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD679. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 2.8V. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD680A. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO-126. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Puissance: 40W. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 750. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD682

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD681G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, 80V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 15W. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD809G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Résistance B: transistor de puissance NPN. Résistance BE: 100V. C (in): 15A. C (out): 90W. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD912. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD912. Diode BE: non. Diode CE: non

ROHS: Oui. Boîtier: SOT223

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDP949. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: 1. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Fonction: hFE 1000. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDT64C. Diode BE: oui. Diode CE: oui