Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 plastic. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Amplificateurs et applications audio. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD139. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD139-10. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 80V, 1A, TO-126 FULLPACK. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-126 FULLPACK. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 10W

Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 plastic. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 80V, 1.5A, TO-126. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 12.5W

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 plastic. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.5A, TO126, 375V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 375V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 3mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD179G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.03W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 1.5A, 100V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 125 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD237. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD238

Transistor NPN, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD238. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD237G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220, 100V, TO-220, 115V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 30W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 4A. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD240C

Transistor NPN, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 3A. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 40W. Fréquence maxi: 3MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 6A, 100V, 6A, TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD243C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD243C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 65W. Fréquence maxi: 3MHz. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD246C

Transistor NPN, 10A, 115V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD246C