Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDV65BG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW42G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 85W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, SOT-93, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-93. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW83C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 750. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW84C

Transistor NPN, 12A, TO-220, 12A, TO-220AB, 100V, 100V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Marquage du fabricant: BDW93C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 20 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 80W. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 33W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Fonction: transistor complémentaire (paire) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor NPN, 100V, 12A, TO-220FP. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220FP. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 33W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW93C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Gain hFE maxi: 750. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 2.5V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Puissance: 70W. Fréquence maxi: 20MHz. Gain hFE min.: 750. Nombre de connexions: 3. Fonction: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX34C

Transistor NPN, 80V, 8A, TO-220-F. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220-F. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 20W. Fréquence maxi: 20MHz. Gain hFE min.: 750

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Gain hFE maxi: +150°C. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 12A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistors Darlington de puissance complémentaire. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 60W. Fréquence maxi: 20MHz. Gain hFE min.: 750. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) BDX54C. Fonction: amplificateur audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: alimentation à découpage. Dissipation de puissance maxi: 95W. RoHS: non. Td(off): 3.5us. Td(on): 0.5us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 750V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 3.5pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1100 MHz. Fonction: TV-IF. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Résistance B: transistor NPN. Résistance BE: RF-POWER. C (in): 25V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN. Fonction: TV-IF-reVHF. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BF240. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.22W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 2pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 800mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF421. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100mA. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF423. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). C (out): 5.5pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Fonction: VID-L. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 300mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non