Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D44H8G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220AC, 80V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: S-L, Low-sat. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 83W. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45VH10. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 90 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SC-59. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 10k Ohms. Diode BE: non. Résistance BE: 10k Ohms. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: DTR.. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 24. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 24. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Puissance: 0.2W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 4.7k Ohms. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 200. Remarque: sérigraphie/code CMS 33. Marquage sur le boîtier: *33, P33, t33, w33. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Date de production: 2014/49. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 18. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Courant de collecteur: 0.03A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 47k Ohms. Diode BE: non. Résistance BE: 47k Ohms. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Marquage sur le boîtier: 26. Spec info: sérigraphie/code CMS 26. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, SC-72. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SC-72. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Puissance: 0.3W. Résistance BE: 47k+22k Ohms. Fréquence maxi: 250MHz

Transistor NPN, 100A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Courant de collecteur: 100A. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Module transistor NPN Darlington de puissance. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 300. Ic(puls): 150A. Remarque: Vissé. Nombre de connexions: 4. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 225W. RoHS: oui. Spec info: Single Dual Emitter. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Type de transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 1.25V. Vebo: 7V

Transistor NPN, ISOTOP, 84A. Boîtier: ISOTOP. Courant de collecteur Ic [A], max.: 84A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Configuration: Vissé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: ESM6045DV. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Remarque: sérigraphié J6810. Marquage sur le boîtier: J6810. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810A. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Diode CE: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High V Color Display Hor Defl (with Damper Diode)'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Remarque: sérigraphié J6810D. Marquage sur le boîtier: J6810D. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Diode CE: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 24A. Remarque: sérigraphié J6812. Marquage sur le boîtier: J6812. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Courant de collecteur: 17A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: J4315O. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) FJL4215-O. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 20A, TO-247, TO-247, 750V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Moniteur 19 pouces. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Spec info: VEBO 6V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 300mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-1. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 39. Gain hFE mini: 26. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 180pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 17. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 180pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009-2. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 619. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 165 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: hFE 5000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) FP1016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 0.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.3A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT458. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C