Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT849. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 24A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 800V. Courant de collecteur: 24A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA hi-res (F). Ic(puls): 36A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: 0.17...0.31us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 10V

Transistor NPN. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HA, hi-def. Remarque: 0.2. Spec info: MONITOR

Transistor NPN. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HA, hi-def. Remarque: 0.2. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 47. Gain hFE mini: 29. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Spec info: 'Epitaxial Planar Transistor'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 160...320. Spec info: transistor complémentaire (paire) HSB1109. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-5. Boîtier (selon fiche technique): TO-5. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 35...125. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Spec info: Lo-Pwr BJT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Spec info: TO-92M. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Spec info: TO-92M. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Spec info: TO-92M. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.7A, 140V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Diode BE: non. C (out): 2.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: Sortie couleur TV Chroma (VID-L). Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: C1507 O. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: Sortie couleur TV Chroma (VID-L). Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: C1507 Y. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (AMMO). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 110 MHz. Fonction: Amplificateur audio HI-FI. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 300. Marquage sur le boîtier: C1845. Equivalences: 2SC1845. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA992. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.07V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.7A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Sortie de déviation verticale TV. Gain hFE maxi: 125. Gain hFE mini: 60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA940. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Sortie de déviation verticale TV. Gain hFE maxi: 125. Gain hFE mini: 40. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA940. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L (9mm magas). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 3.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: C2310 O. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L (9mm magas). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 3.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: C2310 Y. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, 30 v. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Résistance B: 10. Diode BE: non. Résistance BE: 10. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Résistance B: 10. Diode BE: non. Résistance BE: 10. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: 0501-000367. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: hauteur 9mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Courant de collecteur: 0.7A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 60pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: hFE 120...240. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 60pF. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 10A. Marquage sur le boîtier: KSC5027 (O). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 60pF. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 7V