Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.1A, SC-72. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SC-72. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Puissance: 0.3W. Fréquence maxi: 250MHz. Résistance BE: 47k+22k Ohms

Transistor NPN, 100A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Courant de collecteur: 100A. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Module transistor NPN Darlington de puissance. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 300. Ic(puls): 150A. Remarque: Vissé. Nombre de connexions: 4. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 225W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Type de transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 1.25V. Vebo: 7V. Spec info: Single Dual Emitter

Transistor NPN, ISOTOP, 84A. Boîtier: ISOTOP. Courant de collecteur Ic [A], max.: 84A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Configuration: Vissé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: ESM6045DV. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphié J6810. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810A. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation rapide. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High V Color Display Hor Defl (with Damper Diode)'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810D. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphié J6810D. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Diode CE: oui

Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 12A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J6812. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphié J6812. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Diode CE: oui

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Courant de collecteur: 17A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: J4315O. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) FJL4215-O

Transistor NPN, 20A, TO-247, TO-247, 750V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Moniteur 19 pouces. Spec info: VEBO 6V

Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 30A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 25

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 300mA. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 110pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 110pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-1. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 110pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 39. Gain hFE mini: 26. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-2. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 180pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 17. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 180pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009-2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 619. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 165 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Nombre de connexions: 3. Fonction: hFE 5000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) FP1016

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 0.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.3A. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT458. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT849. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN. Quantité par boîtier: 1. Diode CE: oui

Transistor NPN, 24A, ISOWATT218FX, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 24A. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA hi-res (F). Ic(puls): 36A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 10V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 0.17...0.31us

Transistor NPN. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HA, hi-def. Remarque: 0.2. Spec info: MONITOR

Transistor NPN. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HA, hi-def. Remarque: 0.2. Spec info: MONITOR. Diode CE: oui

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 47. Gain hFE mini: 29. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Vebo: 10V. Spec info: 'Epitaxial Planar Transistor'