Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1960pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 115 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 100V, 0.044 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 33A. Puissance: 130W

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 100V, 33A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF540N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1960pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRF540NSPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F540NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1960pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F540NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1960pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 100V, 28A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 28A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF540PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 53 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 25A, 36A, 250uA, 21 milliOhms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 21 milliOhms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1770pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, <0.021 Ohms. Protection G-S: non. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 92W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 10A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 3.3A. Résistance passante Rds On: 1.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: VGS @10V. Dissipation de puissance maxi: 38W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 3.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF610PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 11 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 260pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 5.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF620PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 260pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 9A, 50, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Boîtier (norme JEDEC): 50. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 200V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF630. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 540pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 36A. Dissipation de puissance maxi: 72W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: N-Channel MOSFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF630N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 27 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 575pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF630PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8.1A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. C (in): 770pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 74W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8.1A. Idss (maxi): 8.1A. Résistance passante Rds On: 0.348 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 74W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1300pF. C (out): 430pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1160pF. C (out): 185pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 167 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 18A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF640NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F640NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 200V, 0.18 Ohms, TO-220. Tension drain - source (Vds): 200V. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 18A. Puissance: 125W

Transistor canal N, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. C (in): 1300pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V