Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF630PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8.1A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. C (in): 770pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 74W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8.1A. Idss (maxi): 8.1A. Résistance passante Rds On: 0.348 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 74W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1300pF. C (out): 430pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1160pF. C (out): 185pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 167 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 18A, 150W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Boîtier (norme JEDEC): 150W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF640NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F640NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 0.18 Ohms, TO-220, 200V. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 200V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 18A. Puissance: 125W

Transistor canal N, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. C (in): 1300pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 5.7A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(imp): 45A. Dissipation de puissance maxi: 42W. Technologie: DirectFET POWER MOSFET. Quantité par boîtier: 1. Remarque: isométrique

Transistor canal N, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 170pF. C (out): 34pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 6A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Td(off): 12 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 20V, 3.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7101. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 320pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3A, SO, SO-8, 50V. Id (T=25°C): 3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Fonction: 2xN-CH 50V. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Quantité par boîtier: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 50V, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7103. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

ROHS: Oui. Boîtier: SO8. Puissance: 2W. Montage/installation: SMD. Type de transistor: HEXFET, N-MOSFET x2. Polarité: unipolaire. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 50V. Courant de drain: 3A. Résistance dans l'état passant: 130m Ohms. Tension grille-source: 20V, ±20V. Charge: 12nC. Résistance thermique: 62.5K/W

Transistor canal N, TO-220AB, 400V, 2A, 3.6 Ohms, 400V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Tension drain - source (Vds): 400V. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF710PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 170pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 2A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 7.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7201. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 550pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 400V, 3.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF720PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 410pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 700pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 22A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 20V, 4.1A/4.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A/4.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7301. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 660pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 4.9A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 0.05R. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Quantité par boîtier: 2

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 4.9A/4.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.9A/4.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7303. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.4A/2.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 520pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7309. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22/25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 520/440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 400V, 5.5A, 75W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Boîtier (norme JEDEC): 75W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF730PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 3.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 38 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Quantité par boîtier: 2