Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.7A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2900pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 27A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 900V, 6.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFPF50PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 2800pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, TO-247AC, 2 Ohms, 1000V. Boîtier: TO-247AC. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Tension drain - source (Vds): 1000V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 6.1A. Puissance: 190W

Transistor canal N, 23A, 36A, 250uA, 0.13 Ohms, 17.4k Ohms, SUPER247, 500V. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Boîtier: 17.4k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SUPER247. Tension Vds(max): 500V. C (in): 5579pF. C (out): 810pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 144A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, 17.4k Ohms, 500V, 36A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 17.4k Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFPS37N50APBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5580pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 446W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 55V, 17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR024N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 14A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR024N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 100V. C (in): 180pF. C (out): 80pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 17A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 100V, 4.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFR110PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.027 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1300pF. C (out): 410pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 65 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 107W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 47 ns. Td(on): 7.3 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+155°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 55V, 44A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR1205. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 47 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 100V, 6.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR1205N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 200V, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR220N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3.1A. Idss (maxi): 3.1A. Résistance passante Rds On: 1.8 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 400V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 42W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET

Transistor canal N, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 49A. Id (T=25°C): 71A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2030pF. C (out): 470pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 280A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 43 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 86A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 5.2m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2330pF. C (out): 460pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 79W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, impédance de grille ultra faible. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.115 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 100V. C (in): 640pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 79W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 37 ns. Td(on): 6.4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 27A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 27A. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 55V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: td(on) 7ns. Id(imp): 100A. Dissipation de puissance maxi: 68W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal N, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 500V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=100°C): 1.3A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 350pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 42W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 600V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFRC20PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 137 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 4.1A, 6.5A, 6.5A, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 6.5A. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. Dissipation de puissance maxi: 38W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Power MOSFET. Fonction: Faible charge de grille (22nC typique), Low Crss