Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=100°C): 3.7A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 5.8A. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Advanced Power MOSFET

Transistor canal N, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 400V. C (in): 1500pF. C (out): 178pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 40A. Idss (min): 250uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, I-PAK, 60V, 14A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: I-PAK. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFU024NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 2.7A, 4.3A, 4.3A, 0.54 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 100V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 4.3A. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 100V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 17A. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET® Power MOSFET

Transistor canal N, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 10A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. Id (T=100°C): 1.4A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 360pF. C (out): 92pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-251AA, 500V, 2.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-251AA. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFU420PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-251AA, 200V, 24A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-251AA. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFU4620PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25.4 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1710pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 144W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 350pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFZ24NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZ24NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 29A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 700pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 57 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 100A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 68W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 31 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 30A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFZ34NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 31 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 49A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0175 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1470pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 63us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 94W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 50A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFZ44NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1470pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 49A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 17.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1470pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 63 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 94W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 49A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZ44NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1470pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 94W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1812pF. C (out): 393pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 115W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 0.016 Ohms, TO-220AB, 60V. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 55A. Puissance: 115W

Transistor canal N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1696pF. C (out): 407pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 107W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1696pF. C (out): 407pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 50V, 50A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFZ46NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1696pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 32A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1970pF. C (out): 470pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 68 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 34 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non