Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 55V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: LL014N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 230pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 55V, 3.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FL024. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 18 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 510pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 100V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 16 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 250pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Id (T=100°C): 3.1A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 530pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 6.9ns. Td(on): 7.4 ns. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 30 v, 3.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: LL2703. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 30 v, 3.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: LL2703. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 55V, 3.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: LL2705. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 20V, 1.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 2.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 110pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Id (T=100°C): 3.4A. Id (T=25°C): 4.2A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 740pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 20V, 3.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1g. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 54 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 740pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. Id (T=100°C): 0.93A. Id (T=25°C): 1.2A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 85pF. C (out): 34pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 540mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 9 ns. Td(on): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 1.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: B. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 85pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 1.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 85pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 5V. C (in): 480pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRLR024NPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 55V, DPAK. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier: DPAK. Série de produits: HEXFET. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 17A. Tension grille/source Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tension grille/source Vgs (Max): -16V. Max: 45W. Type de montage: SMD

ROHS: Oui. Boîtier: TO252AA, DPAK. Puissance: 38W. Montage/installation: SMD. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Polarité: unipolaire. Technologie: HEXFET®. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Tension drain - source: 55V. Courant de drain: 17A. Résistance dans l'état passant: 65m Ohms. Tension grille-source: 16V, ±16V. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Charge: 10nC

Transistor canal N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.185 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 440pF. C (out): 97pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 35A. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRLR120NTRPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 48W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 23 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non

Transistor canal N, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 75. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 68W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: commande par niveau logique, commutation rapide. Spec info: faible résistance R-on 0.040 Ohms. Protection G-S: non

Transistor canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.027 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 55V, 42A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRLR2905PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 11m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1570pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 22ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 240A. Idss (min): 20uA. Equivalences: IRLR2905ZTRPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3980pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 34-51 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRLR3110ZPbF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 79W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 800pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 79W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 100V, 17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: LR3410. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 97W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C