Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. Id (T=100°C): 47A. Id (T=25°C): 68A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 13.9m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK (SOT404). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3195pF. C (out): 221pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation standard. Id(imp): 272A. Idss (min): 0.06uA. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52.5 ns. Td(on): 20.7 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. Id (T=100°C): 60.8A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 4900pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 240A. Idss (min): 0.05uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Protection G-S: non

Transistor canal N, 36A, 50A, 500uA, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V, 30 milliOhms. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Tension Vds(max): 150V. Résistance passante Rds On: 30 milliOhms. C (in): 4720pF. C (out): 456pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 118 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 200A. Idss (min): 0.05uA. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 79 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed). Protection G-S: non

Transistor canal N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. C (in): 30pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 21.9A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N65C3. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2930pF. C (out): 1150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 380A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 2N03L04. Dissipation de puissance maxi: 188W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-251AA, 50V, 14A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-251AA. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFD14N05L. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 50V, 14A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F14N05. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 850pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: diode. Marquage sur le boîtier: F3055L. Dissipation de puissance maxi: 48W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commande par niveau logique, protection ESD

Transistor canal N, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 900pF. C (out): 325pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F12N10L. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+155°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 12A, 12A, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: MegaFET. Dissipation de puissance maxi: 53W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP3055LE. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 50A, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V, 50. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. Boîtier (norme JEDEC): 50. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP50N06. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2020pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 131W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 70A, TO-220, TO-220, 60V, 50. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Boîtier (norme JEDEC): 50. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP70N06. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2250pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Modèle PSPICE® à compensation de température

Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 330V. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 23 ns. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.1us. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 330V. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 23 ns. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diode CE: oui

Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 1200pF. C (out): 80pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 23 ns. Compatibilité: Samsung PS42C450B1WXXU. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.06 ns. Td(on): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 20A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 178W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30

Transistor canal N, 40A, 40A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 40A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor MOSFET canal N. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns

Transistor canal N, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 360V. C (in): 85pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Fonction: IGBT. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 250A. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 90 ns. Td(on): 40 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Id (T=25°C): 115mA. Idss (maxi): 115mA. Résistance passante Rds On: 7.5 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 60V. C (in): 25pF. C (out): 10pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Interface et commutation. Id(imp): 0.8A. Marquage sur le boîtier: RKM. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Silicon N-channel MOSFET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 2.5A, 2.5A, 0.074 Ohms, TSMT3, 30 v. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 2.5A. Résistance passante Rds On: 0.074 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TSMT3. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N-Ch MOS FET. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS QY. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC

Transistor canal N, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. Id (T=25°C): 9.5A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 45V. C (in): 1830pF. C (out): 410pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Marquage sur le boîtier: TB. Nombre de connexions: 8. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 78 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 4V Drive N-ch MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC, onduleurs. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.0125 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 4V Drive N-ch MOSFET. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 20A, 20A, TO-247, TO-247. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Cool Mos. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1970pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: IGBT haute vitesse. Courant de collecteur: 48A. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: G30N60RUFD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 235W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non