Transistors FET et MOSFET canal P

Transistor canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60us. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 6.2A. Idss (min): 0.1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 35.2A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO220-3. Tension Vds(max): 60V. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Protection G-S: non. Id(imp): 32.5A. Id (T=100°C): 6.2A. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=25°C): 18.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 230pF. C (out): 95pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Protection G-S: diode. Id(imp): 74.8A. Id (T=100°C): 13.2A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 18P06P. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 81W. Résistance passante Rds On: 0.102 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.7V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -60V, -10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -10A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 10P6F6. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ -10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 64 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 80A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5500pF. C (out): 1130pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 57A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: STripFETTM II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -60V, -53A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SUP53P06-20. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 104W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -4.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 745pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-92, -100V, -0.23A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZVP2110A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 100pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -60V, -0.09A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZVP3306F. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 8 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-92, -240V, -0.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension drain-source Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.0V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C