Transistors FET et MOSFET canal P

Transistor canal P, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (maxi): 9mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 5pF. Type de canal: P. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Protection G-S: non. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 61U. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 61U. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: J-FET Ampl.. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Vgs(th) min.: 7.5V

Transistor canal P, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (maxi): 60mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 11pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Idss (min): 7mA. IGF: 50mA. Remarque: sérigraphie/code CMS 6W. Marquage sur le boîtier: 6W. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: P-Channel Switch. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 6V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V

Transistor canal P, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 20mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Idss (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Remarque: sérigraphie/code CMS 6Y. Marquage sur le boîtier: 6Y. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: P-Channel Switch. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -30V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -30V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor JFET à canal P. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6Y. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 7 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 45pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -500V, -2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTP2P50EG. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 24 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1183pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -30V, -50A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: M50P03HDLG. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 117 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -20V, -24A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDP6020P. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1590pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Id (T=25°C): 0.12A. Idss (maxi): 200uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 60V. C (in): 79pF. C (out): 10pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutateur de signal faible à canal P contrôlé en tension, conception de cellule haute densité pour un faible RDS (ON). Protection G-S: non. Id(imp): 1A. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 610. Marquage sur le boîtier: 610. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Résistance passante Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 10 ns. Td(on): 2.5 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SSOT. Boîtier (selon fiche technique): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 195pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. IGF: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 8 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -30V, -0.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDS352APRL. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 135pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 2.3A, SO, SO-8, 60V. Id (T=25°C): 2.3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Double canal P et P 60 V. Id(imp): 10A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Spec info: 2xP-CH 60V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, -30V, -5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDT452AP. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, -30V, -7.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDT456P. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20P06LG. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. C (in): 500pF. C (out): 150pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 18A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: NT2955. Dissipation de puissance maxi: 55W. Résistance passante Rds On: 0.155 Ohms. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -60V, -12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NT2955G. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 750pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 55W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 500pF. C (out): 150pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 36A/10ms. Protection G-S: non. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: NT2955. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 55W. Résistance passante Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, SO, SOP-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: 27.5 & 34m Ohms). Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P

Transistor canal P, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 690pF. C (out): 310pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amélioration du niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 6A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 28W. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19.8 ns. Td(on): 6.7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 50V. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 125us. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 6A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D8P05. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 20A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, TO-220FP, TO-220F, 630V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 630V. C (in): 1250pF. C (out): 40pF. Diode CE: non. Type de canal: P. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 200A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal P, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSMT6. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 780pF. C (out): 180pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC-DC. Protection G-S: oui. Id(imp): 14A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: TM. Nombre de connexions: 6. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Résistance passante Rds On: 65m Ohms. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 2.9x1.6mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal P, 4.4A, 4.4A, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 4.4A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 3.3A. Dissipation de puissance maxi: 33W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Advanced Power MOSFET

Transistor canal P, 3A, 3A, 200V. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Dissipation de puissance maxi: 28W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Technologie: V-MOS (F)