Diodes standard et de redressement

Diode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery Rectifiers'. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. VRRM: 200V. Spec info: 30App/8.3ms

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 60App/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. VRRM: 400V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 60App/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. VRRM: 600V

Diode. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. IF(AV): 1.5A. IFSM: 60A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Spec info: 30App/10ms

Diode. Cj: 30pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. IF(AV): 2A. IFSM: 60A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Remarque: FAST RECOVERY RECTIFIER. Remarque: IFSM--200Ap/8.3mS. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V

Diode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Remarque: 100App/10ms. Nombre de connexions: 2. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB ( SMC ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 200V

Diode. Cj: 60pF. Trr Diode (Min.): 500 sn. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB ( SMC ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO214AB. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms)

Diode. Cj: 100pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 6A. IFSM: 200A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS

Diode. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Recovery Rectifier. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. VRRM: 400V

Diode. Cj: 3pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'High Voltage Glass Passivated Junction Rectifier'. IF(AV): 0.25A. IFSM: 15A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 3V. VRRM: 4000V. Spec info: IFSM--15App/8.3mS

Diode. Cj: 25pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à haut rendement. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Equivalences: HER103G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2

Diode. Cj: 25pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à haut rendement. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Equivalences: HER105G. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Nombre de connexions: 2

Diode. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à haut rendement. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Equivalences: HER108G. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2

Diode. Cj: 70pF. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IF(AV): 3A. IFSM: 150A crête. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (5.6 x 9.5mm). Température de fonctionnement: -60...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Diode. Cj: 80pF. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Poids: 1.1g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 300V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Diode. Cj: 70pF. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (9.5x5.6mm). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. Quantité par boîtier: 1. Poids: 0.4g. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Diode. Cj: 80pF. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Poids: 1.1g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Diode. Cj: 65pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IF(AV): 6A. IFSM: 150A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms