Diodes standard et de redressement

Diode, 10A/diode, TO-220, TO-220AB, 45V. IF(AV): 10A/diode. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: total 20A, IFSM 150App. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. IF(AV): 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Remarque: Double diode de redressement à barrière Schottky. Remarque: 20A/150App. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 30A, 250A, TO-247, TO-247AD, 45V. IF(AV): 30A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 45V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 60mA. IRM (min): 1mA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.72V. Tension de seuil Vf (min): 0.6V

Diode, 30A, 250A, TO-247, TO-247AD, 60V. IF(AV): 30A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 60mA. IRM (min): 1mA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.65V

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201 ( 9.5x5.0mm ), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 100V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1500. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Marquage sur le boîtier: B3100. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.69V

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201 ( 9.5x5.0mm ), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1500. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Marquage sur le boîtier: B340. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: IFMS 80App/8.3ms, 60Hz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201 ( 9.5x5.0mm ), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1500. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: Sb. Marquage sur le boîtier: B360. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.08V. Tension de seuil Vf (min): 0.6V

Diode, 40A, 80A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 250V. IF(AV): 40A. IFSM: 80A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 CASE 221A. VRRM: 250V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Schottky à découpage, redresseur de puissance. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.97V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V

Diode, 40A (2x20A), 400A (2x200A), TO-247, TO-247AD, 45V. IF(AV): 40A (2x20A). IFSM: 400A (2x200A). Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 2. Matériau diélectrique: cathode commune. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V

Diode, 7.5A, TO-220, TO-220AC, 45V. IF(AV): 7.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 45V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: diode pour alimentation à découpage. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 7.5A, TO-220, TO-220AC, 60V. IF(AV): 7.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 60V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: diode pour alimentation à découpage. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 2 X 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. If [A]: 2 X 3A. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Ifsm [A]: 75A. Tension directe Vfmax (V): 0.7V @ 3A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 50V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.1mA..15mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Diode, 8A, 75A, D-PAK ( TO-252 ), Dpak-3, 35V. IF(AV): 8A. IFSM: 75A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): Dpak-3. VRRM: 35V. Fonction: 'High Voltage Power Schottky'. IRM (max): 35mA. IRM (min): 1.4mA. Marquage sur le boîtier: 853LG. RoHS: oui. Diode Schottky?: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.51V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V

Diode, 20A, 150A, TO-220FP, TO-220F, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Remarque: double diode au silicium. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V

Diode, 1A, DO-214, SMB DO-214AA, 40V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AA. VRRM: 40V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: Vf 0.6V/1A. Remarque: sérigraphie/code CMS B14L. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Diode, 1A, 50A, DO-214, SMB DO214AA, 90V. IF(AV): 1A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA. VRRM: 90V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Marquage sur le boîtier: B19. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS B19. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V

Diode, 3A, 130A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 130A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B310. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: B320. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.84V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.84V. Tension de seuil Vf (min): 0.84V

Diode, 3A, 80A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 30 v. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B33. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.50V/3A, (If=3.0A, TJ=25°C). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V

Diode, 3A, 80A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B34. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.525V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.525V. Tension de seuil Vf (min): 0.525V

Diode, 3A, 80A, DO-214, SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ). VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B36. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.74V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V

Diode, 3A, 80A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B36. Equivalences: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.74V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V

Diode, 75A, 1200A, TO-240, TO-240AA, 1200V. IF(AV): 75A. IFSM: 1200A. Boîtier: TO-240. Boîtier (selon fiche technique): TO-240AA. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Module de diodes. 'Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)'. Remarque: Ifsm--TVJ=45°C; t=10ms (50 Hz) 1200A. Remarque: dimensions 92x20.8x30mm. Remarque: module de 2 diodes. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: isolation 3600V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.58V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V

Diode, 880A, n/a, 400V. IF(AV): 880A. IFSM: n/a. VRRM: 400V. Brochage: vis M6 (x3). Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 220 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: module de diode secteur, courant élevé. Nombre de connexions: 3. Dimensions: 94x34x30mm. Dissipation de puissance maxi: 1100W. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Isolation électrique: 3600V, 50/60Hz. Technologie: double diode à cathode commune (HiPerFREDTM). Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 200mA, 1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 100V. IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. Remarque: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Remarque: sérigraphie/code CMS D6. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. Marquage sur le boîtier: D6. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1V