Diodes standard et de redressement

Diode, 5A, 400V. IF(AV): 5A. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 0.25A, 15A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ), 4000V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 15A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 4000V. Cj: 3pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'High Voltage Glass Passivated Junction Rectifier'. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 3V. Spec info: IFSM--15App/8.3mS

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Equivalences: HER103G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à haut rendement. Equivalences: HER105G. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Nombre de connexions: 2

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à haut rendement. Equivalences: HER108G. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Nombre de connexions: 2

Diode, 3A, 150A crête, DO-27, DO-27 (5.6 x 9.5mm), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A crête. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Cj: 70pF. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 300V. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Poids: 1.1g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Diode, 3A, 150A, DO-27, DO-27 (9.5x5.6mm), 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. Quantité par boîtier: 1. Poids: 0.4g. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Poids: 1.1g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Diode, 6A, 150A, R-6, R-6 (8.8x7mm), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 150A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tr: 75 ns. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Spec info: 150Ap/8.3ms

Diode, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. IF(AV): 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 14W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Remarque: Ultrafast. Remarque: Ifsm--60Aps

Diode, 8A, 60A, TO-220, TO-220AC-2, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 60A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 18 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marquage sur le boîtier: HFA08TB60. Equivalences: 39.2k Ohms. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: IFRM 24A

Diode, 8A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 600V. IF(AV): 8A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Remarque: Ultrafast. Remarque: Ifsm 60Aps

Diode, 15A, 50A, TO-220, TO-220AC-2, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 50A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 42 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 400uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: HFA15TB60. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A)

Diode, 25A, 225A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 25A. IFSM: 225A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 23 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 600uA. IRM (min): 1.5uA. Equivalences: VS-HFA25TB60-M3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--225Ap

Diode, 30A, 150A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 19 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Soft Recovery Diode. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 25. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms

Diode, 6A, 800V. IF(AV): 6A. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: D30. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: filetage M4

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD80C (MiniMELF). Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.15A. Ifsm [A]: 2A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 10mA. Boîtier (norme JEDEC): 0.5W

Diode, 0.2A, 2A, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 100V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseurs de commutation à haute vitesse. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.62V. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us)

Diode, 1A, 600V. IF(AV): 1A. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SAMSUNG

Diode, 0.1A, 80V. IF(AV): 0.1A. VRRM: 80V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: double diode au silicium

Diode, SOD123, 30V, 0.5A. Boîtier: SOD123. VRRM: 30V. Courant redressé moyen par diode: 0.5A. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: 0.43V / 0.5A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 130uA / 30V. Série de produits: MBRB. MSL: 1

Diode, 10A, 150A, TO-220, TO-220A-2P, 100V. IF(AV): 10A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A-2P. VRRM: 100V. RoHS: oui. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 6mA. IRM (min): 0.1mA. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V

Diode, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 100V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 0.008mA. IRM (min): 8uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Diode, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 150V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 0.008mA. IRM (min): 8uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)