Diodes standard et de redressement

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode Schottky pour petits signaux, montage CMS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD80. Boîtier (norme JEDEC): Sb. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Tension directe Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.2uA..2uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v

Diode, 130mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 4 v. IF(AV): 130mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. Remarque: sérigraphie/code CMS 54s. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Marquage sur le boîtier: 54s. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V

Diode, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 4 v. IF(AV): 30mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 4 v. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. Remarque: sérigraphie/code CMS 55s. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Marquage sur le boîtier: 55s. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V

Diode, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 35V. IF(AV): 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 35V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode de commutation de bande VHF/UHF. Marquage sur le boîtier: A2. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.2V

Diode, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 35V. IF(AV): 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 35V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode de commutation de bande VHF/UHF 10MHz. Marquage sur le boîtier: AUs. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 120ns. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V

Diode, 0.2A, 4A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 30 v. IF(AV): 0.2A. IFSM: 4A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 7pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 100uA. IRM (min): 0.5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.65V. Tension de seuil Vf (min): 0.4V

Diode, 150mA, 750mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 100V. IF(AV): 150mA. IFSM: 750mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 6pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): DO-35. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V

Diode, 350mA, 7.5A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 40V. IF(AV): 350mA. IFSM: 7.5A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 40V. Cj: 20pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 10 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V

Diode, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. IF(AV): 200mA. IFSM: 600mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 2uA. Marquage sur le boîtier: L43 ou W1. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Diode, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOD-323, 0.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD-323. If [A]: 0.3A. RoHS: oui. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Ifsm [A]: 1A. Tension directe Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..100uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. IF(AV): 200mA. IFSM: 600mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.4V @ 10mA. Marquage sur le boîtier: L44 ou V4. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV

Diode, 20mA, SOD-323, SOD-323, 40V. IF(AV): 20mA. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323. VRRM: 40V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: IFSM 0.75App/10ms. Nombre de connexions: 2. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Diode, 30mA, 0.5A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 60V. IF(AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.6pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 10000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 200nA. Marquage sur le boîtier: BAT83S. Nombre de connexions: 2. Température: +125°C. RoHS: oui. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms. Distance entre connexions (pas): 1.6x3.9mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 330mV

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-34. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 5A. Tension directe Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, 0.2A, 5A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 30 v. IF(AV): 0.2A. IFSM: 5A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 10000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 2uA. IRM (min): 2uA. Marquage sur le boîtier: BAT85S. Nombre de connexions: 2. Température: +125°C. RoHS: oui. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Distance entre connexions (pas): 1.6x3.9mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV

Diode, 0.2A, 5A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 1.6x3.04 ), 50V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 5A. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Cj: 8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. Remarque: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 900mV. Tension de seuil Vf (min): 300mV

Diode, 0.2A, 5A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 50V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 5A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 50V. Cj: 8pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 10000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 5uA. Marquage sur le boîtier: BTA86S. Nombre de connexions: 2. Température: +125°C. Dimensions: 3.9x1.6mm. RoHS: oui. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 900mV. Tension de seuil Vf (min): 300mV

Diode, 250mA, 1A, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.5x1.5mm ), 250V. IF(AV): 250mA. IFSM: 1A. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Cj: 1.5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes de commutation pour petits signaux, haute tension. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 0.25A, 1A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 60V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 1A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes à usage général. Remarque: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 0.25A, 1A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 200V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 1A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes à usage général. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 0.25A, 1A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 250V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 1A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes à usage général. Remarque: S. Remarque: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 0.6A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35 ( 1.6x3.9mm ), 75V. IF(AV): 0.6A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: diode de commutation pour petits signaux. Remarque: Ifsm--4A/1uS. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 200mA, 1A, SOT-323, SOT323, 85V. IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Boîtier: SOT-323. Boîtier (selon fiche technique): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: oui. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra High Speed Switching. Remarque: sérigraphie/code CMS A1. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Marquage sur le boîtier: A1. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V

Diode, 0.115A, 25V. IF(AV): 0.115A. VRRM: 25V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 0.115A, 35V. IF(AV): 0.115A. VRRM: 35V. Matériau semi-conducteur: silicium