Diodes standard et de redressement

Diode, 0.2A, 2A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 70V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 0.5uA. IRM (min): 1nA. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1V

Diode, 120mA, 0.6A, SOD-523, SOD-523, 40V. IF(AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOD-523. Boîtier (selon fiche technique): SOD-523. VRRM: 40V. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: .W. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V

Diode, 0.2A, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 45. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V

Diode, 0.2A, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 46. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V

Diode, 0.2A, 0.6A, SOT-143, SOT-143B, 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. VRRM: 40V. Cj: 5pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: indépendant. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 47 s. Nombre de connexions: 4. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V

Diode, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V. IF(AV): 250mA. IFSM: 1A. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1.5us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode à faible fuite. Remarque: faible courant inverse. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V

Diode, 70V, 0.07A. VRRM: 70V. Courant redressé moyen par diode: 0.07A. Type de diode: Schottky. Tension de seuil maxi: <1V / 0.015A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 100nA / 50V. Temps de récupération inverse (max): 5ns. Série: BAS

Diode, 0.2A, 4A, 12.7k Ohms, SOD-80C, 30 v. IF(AV): 0.2A. IFSM: 4A. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diodes à barrière Schottky à commutation rapide en verre. IRM (max): 2uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V

Diode, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 4 v, 30mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 4 v. IF(AV): 30mA. RoHS: oui. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Double: non. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. Remarque: sérigraphie/code CMS 53s. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Marquage sur le boîtier: 53s. Nombre de connexions: 3. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Diode, 130mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 4 v. IF(AV): 130mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. Remarque: sérigraphie/code CMS 54s. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Marquage sur le boîtier: 54s. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V

Diode, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 4 v. IF(AV): 30mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 4 v. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Applications de mixage dans la gamme VHF/UHF. Remarque: sérigraphie/code CMS 55s. IRM (max): 1.25uA. IRM (min): 0.25uA. Marquage sur le boîtier: 55s. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.2V

Diode, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 35V. IF(AV): 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 35V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode de commutation de bande VHF/UHF. Marquage sur le boîtier: A2. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.2V

Diode, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 35V. IF(AV): 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. VRRM: 35V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode de commutation de bande VHF/UHF 10MHz. Marquage sur le boîtier: AUs. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 120ns. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V

Diode, 100V, 0.1A, 0.75A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35. VRRM: 100V. IF(AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. RoHS: oui. Tension de seuil Vf (min): 0.4V. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 20uA. IRM (min): 0.1uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: 750mAp t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.45V

Diode, DO35, 30V, 0.2A. Boîtier: DO35. VRRM: 30V. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1V / 0.2A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 0.5uA / 25V. Temps de récupération inverse (max): 5ns. Série: BAT4. MSL: n/a

Diode, DO35, 30V, 0.2A. Boîtier: DO35. VRRM: 30V. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.33V / 2mA. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 0.5uA / 25V. Temps de récupération inverse (max): 5ns. Série: BAT4. MSL: n/a

Diode, 100V, 150mA, 750mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35. VRRM: 100V. IF(AV): 150mA. IFSM: 750mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Cj: 6pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V

Diode, 40V, DO35, 0.35A. VRRM: 40V. Boîtier: DO35. Courant redressé moyen par diode: 0.35A. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.75V / 0.2A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 25uA / 40V. Série: BAT4. MSL: n/a

Diode, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. IF(AV): 200mA. IFSM: 600mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. IRM (max): 2uA. Marquage sur le boîtier: L4. Nombre de connexions: 3. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV

Diode, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 200mA, 600mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. IF(AV): 200mA. IFSM: 600mA. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV. Cj: 10pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 2uA. Marquage sur le boîtier: L42 ou V3. Nombre de connexions: 3. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Diode, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. IF(AV): 200mA. IFSM: 600mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 2uA. Marquage sur le boîtier: L43 ou W1. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV

Diode, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOD-323, 0.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD-323. If [A]: 0.3A. RoHS: oui. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Ifsm [A]: 1A. Tension directe Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..100uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. IF(AV): 200mA. IFSM: 600mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. RoHS: oui. Cj: 10pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 2uA. Marquage sur le boîtier: L44 ou V4. Nombre de connexions: 3. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV

Diode, 20mA, SOD-323, SOD-323, 40V. IF(AV): 20mA. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323. VRRM: 40V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: IFSM 0.75App/10ms. Nombre de connexions: 2. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Diode, 30mA, 0.5A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 60V. IF(AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.6pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 10000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 200nA. Marquage sur le boîtier: BAT83S. Nombre de connexions: 2. Température: +125°C. RoHS: oui. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms. Distance entre connexions (pas): 1.6x3.9mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 330mV