Diodes standard et de redressement

Diode, 0.2A, 5A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 1.6x3.04 ), 50V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 5A. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Cj: 8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. Remarque: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 900mV. Tension de seuil Vf (min): 300mV

Diode, 0.2A, 5A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 50V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 5A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 50V. Cj: 8pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 10000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 5uA. Marquage sur le boîtier: BTA86S. Nombre de connexions: 2. Température: +125°C. Dimensions: 3.9x1.6mm. RoHS: oui. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 900mV. Tension de seuil Vf (min): 300mV

Diode, miniMELF, 4.87k Ohms, 0.2A. Boîtier: miniMELF. VRRM: 4.87k Ohms. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. Type de diode: Switching. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.0V / 0.1A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 100nA / 300V. Temps de récupération inverse (max): 50ns. Série: BAV

Diode, SOT23, 100V, 0.125A. Boîtier: SOT23. VRRM: 100V. Courant redressé moyen par diode: 0.125A. Type de diode: Switching. Tension de seuil maxi: <1.25V / 0.15A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 500nA / 80V. Temps de récupération inverse (max): 4ns. Série: BAV

Diode, 250mA, 1A, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.5x1.5mm ), 250V. IF(AV): 250mA. IFSM: 1A. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Cj: 1.5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes de commutation pour petits signaux, haute tension. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 0.25A, 1A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 60V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 1A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes à usage général. Remarque: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 85V, 200mA, 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Trr Diode (Min.): 0.6us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: double diode à faible fuite. Date de production: 2014/49. IRM (max): 80nA. IRM (min): 5nA. Marquage sur le boîtier: JYs. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C

Diode, 0.25A, 1A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 200V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 1A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes à usage général. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 0.25A, 1A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 250V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 1A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes à usage général. Remarque: S. Remarque: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, SOT23, 70V, 0.15A. Boîtier: SOT23. VRRM: 70V. Courant redressé moyen par diode: 0.15A. Type de diode: Switching. Tension de seuil maxi: <1.0V / 0.05A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 30nA / 25V. Temps de récupération inverse (max): 4ns. Série: BAW

Diode, 0.6A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35 ( 1.6x3.9mm ), 75V. IF(AV): 0.6A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: diode de commutation pour petits signaux. Remarque: Ifsm--4A/1uS. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 200mA, 1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 80V. IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra High Speed Switching. Remarque: sérigraphie/code CMS A1s. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Marquage sur le boîtier: A1s. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V

Diode, 200mA, 1A, SOT-323, SOT323, 85V. IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Boîtier: SOT-323. Boîtier (selon fiche technique): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: oui. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra High Speed Switching. Remarque: sérigraphie/code CMS A1. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Marquage sur le boîtier: A1. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V

Diode, 0.115A, 25V. IF(AV): 0.115A. VRRM: 25V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 0.115A, 35V. IF(AV): 0.115A. VRRM: 35V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 8A, 155A, DO-201, DO-201AD ( 7.5x5.4mm ), 90V. IF(AV): 8A. IFSM: 155A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode de redressement à barrière Schottky, sorties axiales. IRM (max): 20mA. IRM (min): 5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.83V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V

Diode, 0.5A, 30A, 7.3x22mm, 12000V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 7.3x22mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 10V

Diode, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( 2.6x4.8mm ), 1300V. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: oui. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): DO-41. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 7.3x22mm, 16000V, 0.3A, 30A. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. VRRM: 16000V. IF(AV): 0.3A. IFSM: 30A. RoHS: oui. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 15V. Cj: 1pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 7.3x22mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1.2A, 50V. IF(AV): 1.2A. VRRM: 50V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 0.25A, 20A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass passivated, 2000V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Quantité par boîtier: 1. Diode Tff(25°C): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 2uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.4V

Diode, 0.75A, 600V. IF(AV): 0.75A. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 1.5A, 650V. IF(AV): 1.5A. VRRM: 650V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GR

Diode, 1500V, 3A, 70A, DO-201, DO-201AD ( 7.5x4.5mm ). VRRM: 1500V. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x4.5mm ). RoHS: oui. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 5uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--70Ap/10mS. Poids: 12g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, 50A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 1500V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: montage sur dissipateur thermique. Remarque: 4.2x4.3mm. IRM (max): 140uA. IRM (min): 2uA. Marquage sur le boîtier: 97053100. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V