Transistors

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A8E. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A8K. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.246W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: paire de transistors complémentaires. Gain hFE mini: 5000. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Type de transistor: PNP & NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSA42. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSA92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Résistance BE: 10. C (out): 300pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100MHz. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 500mA. Ic(puls): 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSA06. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 10000. Gain hFE mini: 5000. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Technologie: transistor Darlington. Tf(min): 125 MHz. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 125 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 10000. Courant de collecteur: 500mA. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor Darlington. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 0.2A. Fréquence maxi: 100 MHz. Boîtier: TO-92. Gain hFE min.: 1000. Applications: Audio

Transistor. C (out): 3pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 0.5A. Equivalences: KSP42. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (ammo pak). Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 500mV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MPSA92. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 7pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 0.3A. Equivalences: KSP44, CMPSA44. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (ammo pak). Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension de saturation VCE(sat): 400mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 750mV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.5A. Ic(puls): 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92AMMO. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MPSA06. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSA56. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 125 MHz. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 5000. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Conditionnement: rouleau. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2000. Spec info: transistor complémentaire (paire) MPSA42. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSH10. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 650 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. C (out): 3pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Fonction: hFE 25...40. Quantité par boîtier: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 6pF. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 150000. Gain hFE mini: 25000. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 12V. Fonction: High hFE. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 60pF. C (out): 6pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -30V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Applications: RF-POWER. Tension collecteur-émetteur VCEO: 28V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTP2P50EG. Tension drain-source Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 24 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1183pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 410pF. C (out): 114pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 55.7 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 45A. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 14 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: transistor à commande de porte par niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: M50P03HDLG. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 117 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AE. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTW45N10E. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C