Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NT2955G. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 750pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 55W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 500pF. C (out): 150pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 50us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: NT2955. Dissipation de puissance maxi: 55W. Résistance passante Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Fonction: ID pulse 36A/10ms. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.084 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. Fonction: ID pulse 45A/10us. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 55094G

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Dissipation de puissance maxi: 29W. Résistance passante Rds On: 0.122 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. Fonction: ID pulse 27A/10us. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 3150G

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.089 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. Remarque: 55L104G. Fonction: niveau logique, ID pulse 45A/10us. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 316pF. C (out): 105pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.089 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 9.2 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: niveau logique, ID pulse 45A/10us. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 55L104G. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 55L104G. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 4490pF. C (out): 952pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 34 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. Id (T=100°C): 96A. Id (T=25°C): 124A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4804NG. Dissipation de puissance maxi: 107W. Résistance passante Rds On: 3.4M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4804NG. Spec info: ID pulse 230A. Protection G-S: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Remarque: hFE 20...70. Remarque: transistor complémentaire (paire) NTE219. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 115W. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Remarque: hFE 20...70. Remarque: transistor complémentaire (paire) NTE219. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 115W. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 510pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 5.1A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 446. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 35 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-6. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Nombre de connexions: 6. Fonction: applications de batterie lithium-ion, ordinateur portable. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 3000. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4416pF. C (out): 296pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 472A. Id (T=100°C): 83A. Id (T=25°C): 118A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 503W. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3L, CASE 340CX. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 19V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Technologie: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Fonction: UPS, convertisseur DC/DC, onduleur Boost. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 108A. Id (T=100°C): 38A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 53A. Marquage sur le boîtier: 4744N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 47W. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Fonction: ID pulse 108A/10ms. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4744N

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 288A. Id (T=100°C): 138A. Id (T=25°C): 191A. Idss (maxi): 191A. Marquage sur le boîtier: 4833N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 114W. Résistance passante Rds On: 1.3M Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Fonction: ID pulse 288A/10ms. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4833N

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 208A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 104A. Marquage sur le boîtier: 4835N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 63W. Résistance passante Rds On: 2.9m Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Fonction: ID pulse 208A/10ms. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4835N

Transistor. C (out): 135pF. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Conçu pour Grundig. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 34W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Fonction: 27.5 & 34m Ohms). Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. C (in): 790pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amélioration du niveau logique. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 10A. Dissipation de puissance maxi: 32W. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 40V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: 28 & 65m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P2N2222A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. C (in): 860pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (maxi): 30A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2780pF. C (out): 641pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 34 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Id (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (maxi): 50A. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 35 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier (selon fiche technique): TO-263 (D2PAK). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 150A. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 50A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 15m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 690pF. C (out): 310pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amélioration du niveau logique. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 28W. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19.8 ns. Td(on): 6.7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non