Transistors

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTY100N10E. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 96 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 372 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 10640pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: transistor avec réseau de résistance de polarisation. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 0.1A. Marquage sur le boîtier: 8B. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 338mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistors numériques (BRT). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Nombre de connexions: 3. Remarque: Panasonic NV-SD450. Remarque: B1GBCFLL0035. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 8B. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 9pF. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 1373pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 395 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDP6020P. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1590pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 100A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 2960pF. C (out): 1130pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 225A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 75A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 79pF. C (out): 10pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. Id (T=25°C): 0.12A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 610. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Résistance passante Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 10 ns. Td(on): 2.5 ns. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphie/code CMS 610. Fonction: commutateur de signal faible à canal P contrôlé en tension, conception de cellule haute densité pour un faible RDS (ON). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 195pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 10A. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. IGF: 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 8 ns. Boîtier: SSOT. Boîtier (selon fiche technique): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDS352APRL. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 135pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDS355AN_NL. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 195pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Fonction: Double canal P et P 60 V. Id(imp): 10A. Id (T=25°C): 2.3A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Quantité par boîtier: 2. Unité de conditionnement: 2500. Spec info: 2xP-CH 60V

Transistor. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xV-MOS. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDT452AP. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDT456P. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 4.5pF. C (out): 10pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 30A. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW0281. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW3281. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3P. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NJW21193G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Date de production: 201452 201512. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW1302. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 6400pF. C (out): 465pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 82N055. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 142W. Résistance passante Rds On: 4.1m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 72 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: transistor MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): MP-25ZP. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 900. Spec info: transistor MOSFET. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 707pF. C (out): 224pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 20N6LG. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.039 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 9.6 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N06LG. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 990pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20P06LG. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 500pF. C (out): 150pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: NT2955. Dissipation de puissance maxi: 55W. Résistance passante Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non