Transistors

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 400 MHz. Fonction: Hi-def. Courant de collecteur: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1476

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor. C (in): 4pF. C (out): 10pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 550V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Résistance B: 22. Résistance BE: 22. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 260 MHz. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126LP. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Fonction: hFE 800. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. Résistance B: 47. Résistance BE: 10. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: TV-ZF-E. Courant de collecteur: 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (out): 50pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Gain hFE mini: 500. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): MF20 TO220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: pilote pour solénoïde et moteur. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Courant de collecteur: 15A. Marquage sur le boîtier: C3856. Dissipation de puissance maxi: 130W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PB. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1492

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 7A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 8A. Marquage sur le boîtier: C3886A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 450 MHz. Fonction: TV/IF. Courant de collecteur: 0.02A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HA, Hi-res. Courant de collecteur: 7A. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Rbe 60 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HA, Hi-res. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HA, Hi-res. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HA hi-def.. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: Applications de pilote haute tension. Courant de collecteur: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hFE 100...200

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: S-L. Spec info: 500/2200ns

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF. Courant de collecteur: 0.065A. Puissance: 200mW. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Vebo: 1.5V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 9000MHZ. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Courant de collecteur: 7A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 2SD4106M

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: C4107. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 7A. Ic(puls): 14A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC)