Transistors

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 270 MHz. Courant de collecteur: 0.7A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Fonction: hFE1 1500, hFE2 600 . Quantité par boîtier: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: double transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMV-5. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 5. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 80 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: (F). Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 7V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: Transistor de puissance de commutation. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: série HFX

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1633. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Amplificateur large bande VHF. Courant de collecteur: 0.3A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v

Transistor. C (out): 35pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Transistor NPN haute tension pour applications audio et à usage général.. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1668. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1671

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1672

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 85W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1673

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: SMPS. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Fonction: NF/L. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1695

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Fonction: NF/L. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1695

Transistor. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: High hFE, LOW Vce(sat). Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Technologie: Transistor planaire triple diffusion NPN. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 6 MHz. Fonction: Transistor de commutation haute tension. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 550V. Vebo: 7V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: (F). Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: MONITOR

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. C (out): 14pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 1.5A. Ic(puls): 2.5A. Marquage sur le boîtier: 12.9k Ohms. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Boîtier: SC-71. Boîtier (selon fiche technique): SC-71. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1770. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 10mA. Remarque: Ic--10mA/30mApp. Dissipation de puissance maxi: 2W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Fonction: focus dynamique, commutation haute tension. Spec info: TO-220FI (Forming)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 10mA. Remarque: Ic--10mA/30mApp. Dissipation de puissance maxi: 2W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 2000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1800V. Fonction: focus dynamique. Spec info: TO-220FI

Transistor. C (out): 25pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 210 MHz. Fonction: Io-sat. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 2A. Remarque: sérigraphie/code CMS DK. Marquage sur le boîtier: DK. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1797. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5.5 MHz. Fonction: Applications de mise au point dynamique de la télévision. Courant de collecteur: 50mA. Remarque: Applications de commutation haute tension. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Spec info: TO-220F

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HI-FI NF-E. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 55W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Remarque: (F). Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1803