Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: MONITOR. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Compatibilité: CVM4967A. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Display-HA, Hi-res. Gain hFE maxi: 25. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 16A. Equivalences: SAMSUNG 891 464744AA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused'. Tf(max): 0.4us. Boîtier: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PFM. Type de transistor: NPN. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Vebo: 6V. Spec info: MONITOR

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Display-HA. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Courant de collecteur: 7A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: moniteur VGA

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 7A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 3. Courant de collecteur: 7A. Ic(puls): 16A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf (type): 0.1us. Boîtier: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Boîtier (selon fiche technique): TO3PML. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 20pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10R1A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1837. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V

Transistor. C (out): 220pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: MONITOR

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PFM. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Spec info: MONITOR. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Display-HA. Courant de collecteur: 7A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: MONITOR (F). Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Display-HA. Courant de collecteur: 7A. Remarque: MONITOR. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Vce(sat) 3V. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Remarque: Monitor HA (F). Spec info: VEBO 5V. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 10A. Marquage sur le boîtier: C5103. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 0.3 ns. Tf(min): 0.1 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Fonction: pilote de moteur, pilote de LED. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1952

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Fonction: MONITOR HA,Hi-res. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: C5129. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: temps de descente 0.15..03us (64kHz). Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 10A. Remarque: MONITOR. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Fonction: HA, Hi-res. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 40A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F2A ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: Monitor -HA

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Fonction: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: fonctionnement rapide, pour déviation horizontale (TV). Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5149. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: 'Triple Diffused MESA Type'. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VCE(sat) 3V max. Courant de collecteur: 10A. Remarque: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Spec info: TO-3P (Plastic). Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 2A. Marquage sur le boîtier: C5171. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.16V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1930. Fonction: TV, SL. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1940

Transistor. C (out): 170pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 10A. Marquage sur le boîtier: C5198 O. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1941. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 200pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 15A. Marquage sur le boîtier: C5200 (Q). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1943. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Tension collecteur-émetteur VCEO: 230V. Courant de collecteur: 15A. Fréquence maxi: 30MHz. Puissance: 150W. Boîtier: TO-264