Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707T. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040FA

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Courant de collecteur: 21A. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Remarque: Vce(sat) 3Vmax

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Courant de collecteur: 20A. Remarque: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: C5803. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour déviation horizontale haute résolution, TV HD. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 22A. Ic(puls): 44A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F2A. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Vebo: 5V

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour déviation horizontale haute résolution, TV HD. Gain hFE maxi: 55. Gain hFE mini: 4.5. Courant de collecteur: 23A. Ic(puls): 46A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 210W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F2A. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Vebo: 5V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA (F). Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Gain hFE maxi: 15. Gain hFE mini: 4. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 40A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 5V. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. C (out): 85pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 195 MHz. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: C6082. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 23W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3SG. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Fonction: pilotes de relais, pilotes de lampes, pilotes de moteurs. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2210. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 600 MHz. Courant de collecteur: 0.03A. Dissipation de puissance maxi: 0.12W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: A21/B. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/12V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/12V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-39. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.68W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 232. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 0.2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC829. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W