Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: Rbe 50 Ohms

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M46/J. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): NPN. Plage de température de fonctionnement max (°C): 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 7A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1.5 kV. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: NPN

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: NPN. Plage de température de fonctionnement min (°C): 600V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor NPN Darlington. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M37/J. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: (F). Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Spec info: isolé

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'CTV-HA' (isolé). Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 7A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'CTV-HA' (isolé). Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 3.5A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Gain hFE maxi: 15. Gain hFE mini: 4. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 17A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Vebo: 6V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/SL. Courant de collecteur: 0.1A. Remarque: hFE 100...200. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: 2SD1609-C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 4A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1123S. Marquage sur le boîtier: DF. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS DF. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Courant de collecteur: 2A. Remarque: hFE 200...400. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS DF, transistor complémentaire (paire) 2SB1123T. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Marquage sur le boîtier: DG. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistors'. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS DG

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: courant continu élevé, pilotes de relais, pilotes de lampe. Gain hFE maxi: 4000. Gain hFE mini: 3000. Courant de collecteur: 1.5A. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: DI. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO PCP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: sérigraphie/code CMS DI, transistor complémentaire (paire) 2SB1126. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Courant de collecteur: 2A. Remarque: hFE 3000...4000. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Fonction: Courant continu élevé, pilotes de relais, contrôle de régulation de tension. Spec info: sérigraphie/code CMS DJ