Transistors

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 100mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 830mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF420. Diode CE: oui

Transistor. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 100mA. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF423. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 0.05A. Ic(puls): 100A. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF422

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BF450. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 350 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( SOT-54 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN. Spec info: feedback capacitance--0.45pF

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 350 MHz. Fonction: Etages HF et IF dans les récepteurs radio. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 25mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (out): 5.5pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Fonction: VID-L. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 300mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Fonction: VID-L. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Fonction: VID-L. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Courant de collecteur: 0.03A. Dissipation de puissance maxi: 2W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF471. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 50mA. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VHF/UHF-V. Courant de collecteur: 50mA. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Courant de collecteur: 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-93

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Courant de collecteur: -0.5A. Puissance: 0.8W. Boîtier: TO-92

Transistor. C (out): 1.6pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 550 MHz. Fonction: VHF-V. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 30mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 35V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 6.5mA. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 20*. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 2mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.2V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 15mA. Idss (min): 6mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 21*. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 6mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 25mA. Idss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 22*. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 12mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 7.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 700 MHz. Fonction: Oscillateur VHF. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 25mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: DA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: DB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 900 MHz. Fonction: UHF-M/O. Courant de collecteur: 0.03A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-39. Boîtier (selon fiche technique): SOT-39. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1