Transistors

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF-V M/O. Courant de collecteur: 25mA. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 1V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 1V

Transistor. C (out): 1.6pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 1W. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 1W. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-202. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90MHz. Courant de collecteur: 50mA. Id(imp): 300mA. Dissipation de puissance maxi: 7W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 275V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 700 MHz. Fonction: VHF TV-IF. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 35. Courant de collecteur: 100mA. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Vebo: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Fonction: UHF-V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 900 MHz. Fonction: UHF-M/O. Courant de collecteur: 30mA. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-50. Boîtier (selon fiche technique): TO-50. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Applications: RF POWER. Fréquence maxi: 900 MHz. Boîtier: SOT-37. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF-V. Courant de collecteur: 30mA. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 3pF. C (out): 1.2pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications VHF et UHF avec tension d'alimentation 12V. Id (T=25°C): 30mA. Idss (maxi): 18mA. Idss (min): 2mA. Marquage sur le boîtier: M90. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension Vds(max): 18V. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2.3pF. C (out): 0.8pF. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=25°C): 30mA. Idss (maxi): 4mA. Idss (min): 2mA. Marquage sur le boîtier: MH. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension Vds(max): 20V. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS MH

Transistor. C (in): 2.1pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications VHF et UHF avec tension d'alimentation 12V. Id (T=25°C): 30mA. Idss (maxi): 15mA. Idss (min): 5mA. Marquage sur le boîtier: MOS. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 12V. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. C (out): 1.1pF. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-143B. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: BF998. Tension drain-source Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2.5pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7GHz. Fonction: Transistor large bande VHF/UHF-A 7 GHz. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 150mA. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Vebo: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (out): 0.7pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7GHz. Fonction: Pour amplificateur d'antenne VHF/UHF et applications de communication RF. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 200mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Vebo: 3V. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 50mA. Marquage sur le boîtier: V3%. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Nombre de connexions: 4. Spec info: sérigraphie/code CMS V3. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 50mA. Marquage sur le boîtier: %MW. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Nombre de connexions: 4. Spec info: sérigraphie/code CMS MW. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: VID-L. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 1.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BFN37. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. C (in): 0.9pF. C (out): 0.28pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 80mA. Marquage sur le boîtier: RCs. Dissipation de puissance maxi: 580mW (total 380mW). RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Vebo: 2V. Nombre de connexions: 4. Spec info: sérigraphie/code CMS RCs. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Courant de collecteur: 0.3A. Dissipation de puissance maxi: 3W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BFQ252. Remarque: Tc.=115°C

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF-A. Courant de collecteur: 0.15A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 175 MHz. Courant de collecteur: 1.25A. Dissipation de puissance maxi: 4W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 36V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: R7s. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 210mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5GHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence