Transistors

Transistor. Fonction: VHR758 EV. Quantité par boîtier: 1. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V/100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 280V/150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Tension collecteur-émetteur VCEO: 600V. Courant de collecteur: 10A. Puissance: 175W. Fréquence maxi: 10MHz. Boîtier: TO-3. Gain hFE min.: 150

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 6 MHz. Fonction: TV-HA. Gain hFE maxi: 20. Gain hFE mini: 12. Courant de collecteur: 7A. Ic(puls): 15A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 200V. Puissance: 60W. Fréquence maxi: 10MHz

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 175V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L TV-HA. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 375V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L TV-HA. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L TV-SN. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 375V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA/Monitor. Courant de collecteur: 8A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA/Monitor. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA/Monitor. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA/Monitor. Gain hFE maxi: 7.3. Gain hFE mini: 4.2. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Rbe 25 Ohms

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV/Monitor. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 55W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 'CTV-HA' (isolé). Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV/Monitor. Courant de collecteur: 16A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Boîtier: SOT-430. Boîtier (selon fiche technique): SOT-430. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: CTV-HA

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 2.5A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 2.5A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA SMPS. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-220AB. Remarque: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMPS (F). Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-220F (SOT186)

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-218. Boîtier (norme JEDEC): SOT-199. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BU508AF. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 700V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 34W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 34W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1500V. Courant de collecteur: 8A. Puissance: 125W. Boîtier: TO-247

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 34W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui